中国电科成功制备4英寸氧化镓单晶

2019-02-28 10:24 稀土永磁

近日,中国电科46所经过多年氧化镓晶体生长技术探索,通过改进热场结构、优化生长气氛和晶体生长工艺,有效解决了晶体生长过程中原料分解、多晶形成、晶体开裂等问题,采用导模法成功制备出高质量的4英寸氧化镓单晶。经测试,晶体具有很好的结晶质量,将为国内相关器件的研制提供有力支撑。
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