2019-04-16 08:10 丨 国产芯片
飞笛讯，据科技日报报道，武汉光电国家研究中心棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。甘棕松团队自主开发了多类光刻胶，实现了光刻样机系统关键零部件国产化。
光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备，主流深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产，属于国内集成电路制造业的“卡脖子”技术。甘棕松团队在没有任何可借鉴的技术情况下，开拓了一条光制造新的路径，打破了三维微纳光制造的国外技术垄断，在这个领域，从材料、软件到光机电零部件，都将不再受制于人。在解决制造速度等关键问题后，该技术将有望应用于集成电路制造。
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